Samsung Electronics apresenta tecnologia revolucionária de DRAM 3D de última geração, lançamento previsto para 2025+

A Samsung Electronics pretende entrar no mercado emergente de DRAM 3D apresentando tecnologias de ponta que impulsionarão o progresso do mercado no futuro.

Samsung lidera o caminho em tecnologia DRAM 3D, preparada para lançar soluções até o final da década

Apesar de um período de relativa calma na indústria DRAM, as empresas ainda enfrentavam os desafios de uma situação financeira difícil devido aos elevados stocks e à baixa procura dos consumidores nos últimos trimestres.

Com a situação agora melhorada, os esforços foram orientados para a I&D da próxima geração. A Samsung anunciou sua própria implementação de DRAM 3D, que deverá ser implementada no próximo ano.

Depois de examinar os slides da apresentação, fica evidente que a indústria DRAM está em transição para linhas de compressão abaixo de 10nm. Para superar a estagnação no desenvolvimento de tecnologias DRAM avançadas, a Samsung pretende implementar duas novas técnicas, Transistores de Canal Vertical e DRAM Empilhado, que envolvem variações no posicionamento dos componentes. Esses métodos inovadores levam, em última análise, à redução do uso da área do dispositivo e, consequentemente, à melhoria do desempenho.

De forma semelhante, a Samsung pretende aumentar a capacidade de memória utilizando o conceito de DRAM empilhado. Essa abordagem permite que a empresa alcance uma proporção maior de armazenamento por área, aumentando potencialmente a capacidade do chip para 100 GB no futuro. Projeta-se que o mercado de DRAM 3D possa atingir US$ 100 bilhões até 2028. Os primeiros desenvolvimentos da Samsung sugerem que a empresa coreana pode assumir a liderança na indústria de DRAM no futuro, embora ainda seja muito cedo para fazer tal previsão.